珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

珠海市工业和信息化局公开征求 《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》 意见。其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。同时，重点发展匀胶铬版光掩模版，KrF、ArF移项光掩模版，前瞻布局深紫外光（DUV）掩膜版。